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資料 +
- D系列宣傳冊(cè)
- D系列宣傳冊(cè)（A4）

安裝布局 +

訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。

A 這是一個(gè)“環(huán)形安裝座”；即硅晶片在其環(huán)上，沒(méi)有輸出連接器。這種不常使用的布局可應(yīng)特殊要求提供。適用于40 μm至100 μm的探測(cè)器。

E 這是一種特殊類型的傳輸安裝座，可以小心調(diào)節(jié)其四個(gè)螺釘，以避免對(duì)特別脆弱的硅晶片施加過(guò)大的壓力。適用于厚度達(dá)40.0 μm的探測(cè)器。注意：通過(guò)移除螺釘，可以拆卸E安裝座。V尺寸提供適合0.080螺釘、直徑為1.7 mm的安裝孔之間的距離。

T 側(cè)面的Microdot連接器（向后開口），耗盡深度>40.0 μm。

尺寸以毫米為單位。

探測(cè)器尺寸 (mm²)	W (標(biāo)稱)	A型		E型可拆卸的傳輸				T型傳輸
探測(cè)器尺寸 (mm²)	W (標(biāo)稱)	X	Y	X	Y	Z	V	X	Y	Z
050	8.0	15.2	3.7	25.1	7.7	7.0	18.2	19.4	7.9	9.9
150	13.8	22.0	3.7	31.9	7.7	7.0	25.0	26.1	7.9	9.9
300	19.5	27.1	3.7	37.1	7.7	7.0	30.1	31.6	7.9	9.9
450	23.9	30.5	3.7	40.2	7.7	7.0	33.3	34.8	7.9	9.9
公差	±0.5	±0.3	±0.3	±0.5	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3

訂購(gòu)信息 +

訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。

除非另有說(shuō)明，否則提供適用于厚度達(dá)40.0μm的E安裝座；適用于厚度>40.0 μm的T型安裝座。

*所有標(biāo)準(zhǔn)耗盡的探測(cè)器都以特定的角度從母晶體上偏軸切割，這將限度地減少離子穿隧效應(yīng)?？蔀樘厥庥唵翁峁└蟮拿娣e。可為特殊訂單提供其他面積和深度。

**型號(hào)的前三位數(shù)字表示使用標(biāo)準(zhǔn)ORTEC電子設(shè)備和0.5-μs整形時(shí)間常數(shù)測(cè)得的總系統(tǒng)噪聲寬度。噪聲寬度針對(duì)每個(gè)范圍和指定標(biāo)稱面積的最小厚度（電容）給出。對(duì)于高電容單元，性能取決于實(shí)際厚度和面積。

注:兼容Alpha套件的探測(cè)器:ENS-系列(購(gòu)買新系統(tǒng)時(shí)含安裝和測(cè)試)、ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測(cè)器型號(hào)保證與Alpha套件產(chǎn)品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測(cè)器都需要經(jīng)過(guò)特殊批準(zhǔn)以保證其兼容性及指標(biāo)規(guī)格。

有效面積 (mm²)	厚度變化（μm）	耗盡深度15 µm 范圍7-15µm	耗盡深度25 µm 范圍15.1-25µm	耗盡深度40 µm 范圍25.1-40µm
有效面積 (mm²)	厚度變化（μm）	型號(hào)	型號(hào)	型號(hào)
10	±0.5	D-020-010-15
50	±0.5	D-035-050-15	D-035-050-25	D-020-050-40
150	±1.0		D-060-150-25	D-035-150-40
300	±1.0		D-095-300-25	D-055-300-40
450	±3.0		D-100-450-25	D-090-450-40

有效面積 (mm²)	厚度變化（μm）	耗盡深度50 µm 范圍40.1-65µm	耗盡深度75 µm 范圍65.1-85µm	耗盡深度100 µm 范圍85.1-110µm
有效面積 (mm²)	厚度變化（μm）	型號(hào)	型號(hào)	型號(hào)
50	±0.5	D-015-050-50	D-015-050-75	D-015-050-100
150	±1.0	D-030-150-50	D-030-150-75	D-025-150-100
300	±1.0	D-045-300-50	D-040-300-75	D-030-300-100
450	±3.0	D-070-450-50	D-060-450-75	D-060-450-100

D系列平面型全耗盡硅面壘型輻射探測(cè)器

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