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    產(chǎn)品中心/ PRODUCTS

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    C系列環(huán)形部分耗盡硅面壘型輻射探測(cè)器

    • 產(chǎn)品型號(hào):
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間:2025-07-25
    • 訪  問(wèn)  量:28

    簡(jiǎn)要描述:主要應(yīng)用從準(zhǔn)直光源或光束目標(biāo)反向散射;角度相關(guān)測(cè)量

    在線咨詢

    聯(lián)系電話:021-54339375

    產(chǎn)品詳情
    主要應(yīng)用
    從準(zhǔn)直光源或光束目標(biāo)反向散射;角度相關(guān)測(cè)量。
    • 資料 +

      • Download link C系列宣傳冊(cè)
      • Download link C系列宣傳冊(cè)(A4)
    • 安裝布局 +


      訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。

      A
       這是一個(gè)“環(huán)形安裝座”;即硅晶片在其環(huán)上,沒(méi)有輸出連接器。這種不常使用的布局可應(yīng)特殊要求提供。

      T
       側(cè)面的Microdot;無(wú)可調(diào)螺絲。(向后開(kāi)口。)

      尺寸以毫米為單位。


      探測(cè)器尺寸 (mm2)

      W (標(biāo)稱)
      A  T 透射安裝座
      X Y  X Y Z
       050  8.0 15.2 3.7
      19.4 7.9 9.9
       150  13.8 22.0 3.7
      26.1 7.9 9.9
       300  19.5 27.1 3.7
      31.6 7.9 9.9
       450 23.9 30.5 3.7
      34.8 7.9 9.9
       公差 ±0.5 ±0.3
      ±0.3
      ±0.3
      ±0.3
      ±0.3
    • 訂購(gòu)信息 +


      訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。

      除非以適當(dāng)?shù)淖帜盖熬Y另行指定,否則提供T安裝座;4毫米孔為標(biāo)準(zhǔn)配置,可為特殊訂單提供6毫米或8毫米孔或其他面積和深度。

      **
      型號(hào)的前三位數(shù)字表示使用標(biāo)準(zhǔn)ORTEC電子設(shè)備和0.5-μs整形時(shí)間常數(shù)時(shí),241Am,5.486-MeV α的總系統(tǒng)分辨率FWHM。β分辨率近似于脈沖發(fā)生器寬度FWHM。

      :兼容Alpha套件的探測(cè)器:ENS-系列(購(gòu)買新系統(tǒng)時(shí)含安裝和測(cè)試)ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測(cè)器型號(hào)保證與Alpha套件產(chǎn)品(DUOMEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測(cè)器都需要經(jīng)過(guò)特殊批準(zhǔn)以保證其兼容性及指標(biāo)規(guī)格。



      有效面積 (mm2)

      保證分辨率**keV

      最小耗盡深度100μm

      最小耗盡深度300μm

      最小耗盡深度500μm

      α

      β

      型號(hào)

      型號(hào)

      型號(hào)

      50

      17

      9

      C-017-050-100

      C-017-050-300

      C-017-050-500

      150

      19

      12

      C-019-150-100

      C-019-150-300

      C-019-150-500

      300

      21

      14

      C-021-300-100

      C-021-300-300

      C-021-300-500

      450

      25

      20

      C-025-450-100

      C-025-450-300

      C-025-450-500




      有效面積 (mm2)

      保證分辨率**keV

      最小耗盡深度1000μm

      α

      β

      型號(hào)

      50

      18

      10

      C-018-050-1000

      150

      20

      12

      C-

      300

      22

      15

      C-

      450

      25

      20

      C-

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